Kombinované studium

4 roky

prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc.

Předseda :
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc.
Člen interní :
prof. RNDr. Petr Dub, CSc.
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D.
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D.
prof. RNDr. Pavel Šandera, CSc.
Člen externí :
RNDr. Antonín Fejfar, CSc.
prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D.

Cílem doktorského studia v navrhovaném programu je příprava vysoce vzdělaných odborníků v oblasti fyzikálního inženýrství a nanotechnologií s dostatečnou zahraniční zkušeností, kteří budou schopni vykonávat samostatnou tvůrčí, vědeckou a výzkumnou činnost v akademické či aplikační sféře u nás i v zahraničí. Studium je založeno na vlastní tvůrčí a výzkumné práci doktorandů na úrovni standardně požadované na zahraničních pracovištích v oblastech výzkumu realizovaného na školicím pracovišti a podporovaného národními a mezinárodními projekty. Jedná se tyto oblasti aplikované fyziky: fyzika povrchů a nanostruktur, světelná a částicová optika a mikroskopie, konstrukce fyzikálních přístrojů a zařízení, mikromechanika materiálů.

Absolvent má znalosti, dovednosti a kompetence pro vlastní tvůrčí činnost v některé z oblastí, v nichž se realizují výzkumné aktivity školicího pracoviště. Jde o aplikace fyziky zejména v oblasti fyziky povrchů a nanostruktur, dvoudimenzionálních materiálů, nanoelektroniky, nanofotoniky, mikromagnetismu a spintroniky, biofotoniky, pokročilé světelné mikroskopie a spektroskopie, elektronové mikroskopie, laserové nanometrologie a spektroskopie, počítačem řízené rentgenové mikro a nanotomografie, mikro a nanomechaniky, vývoje technologických a analytických zařízení a metod pro mikro/nanotechnologie. K vysoké úrovni vzdělávání přispívá možnost využití personálního a materiálního zázemí poskytovaného výzkumnou infrastrukturou CEITEC a rovněž rozsáhlá spolupráce s významnými zahraničními pracovišti. To garantuje, že absolvent je schopen prezentovat ústně i písemně výsledky své práce a diskutovat o nich v angličtině. Vzhledem k vysokým odborným kompetencím a flexibilitě absolventi nalézají uplatnění jak v oblasti výzkumu na univerzitách a v jiných výzkumných institucích u nás i v zahraničí, tak v high-tech firmách v pozicích výzkumníků, vývojářů, konstruktérů či vedoucích týmů.

Vzhledem k vysokým odborným kompetencím a flexibilitě absolventi nalézají uplatnění jak v oblasti základního a aplikovaného výzkumu na univerzitách a v jiných výzkumných institucích u nás i v zahraničí, tak v hight-tech firmách v pozicích výzkumníků, vývojářů, konstruktérů či vedoucích týmů.

Viz platné předpisy, Směrnice děkana Pravidla pro organizaci studia na fakultě (doplněk Studijního a zkušebního řádu VUT v Brně).

Pravidla a podmínky pro tvorbu studijních programů určují:
ŘÁD STUDIJNÍCH PROGRAMŮ VUT,
STANDARDY STUDIJNÍCH PROGRAMŮ VUT,
STUDIJNÍ A ZKUŠEBNÍ ŘÁD VUT,
SMĚRNICE DĚKANA Pravidla pro organizaci studia na fakultě (doplněk Studijního a zkušebního řádu VUT v Brně),
SMĚRNICE DĚKANA FSI Jednací řád oborových rad doktorských studijních programů FSI VUT v Brně.
Studium v DSP se neuskutečňuje v kreditovém systému. Klasifikační stupně jsou „prospěl“, „neprospěl“, u obhajoby disertační práce je výsledek „obhájil“, „neobhájil“.

Na VUT jsou zohledněny potřeby rovného přístupu k vysokoškolskému vzdělávání. V přijímacím řízení ani ve studiu nedochází k přímé či nepřímé diskriminaci z žádných důvodů. Studujícím se specifickými vzdělávacími potřebami (poruchy učení, fyzický a smyslový handicap, chronická somatická onemocnění, poruchy autistického spektra, narušené komunikační schopnosti, psychická onemocnění) je poskytováno poradenství v poradenském centru VUT, které je součástí Institutu celoživotního vzdělávání VUT. Podrobně tuto problematiku řeší Směrnice rektora č. 11/2017 „Uchazeči a studenti se specifickými potřebami na VUT“. Rovněž je vytvořen funkční systém sociálních stipendií, který popisuje Směrnice rektora č. 71/2017 „Ubytovací a sociální stipendium“.

Předkládaný doktorský studijní program představuje nejvyšší stupeň vzdělávání v oblasti fyzikálního inženýrství a nanotechnologií. Navazuje na akademiky zaměřený bakalářský a navazující magisterský studijní program „Fyzikální inženýrství a nanotechnologie“, které jsou uskutečňované na FSI VUT.

1. Kvantifikace pokrytí povrchů pevných látek -OH skupinami pomocí kombinace ALD a HS-LEIS

   Rozptyl nízkoenergiových iontů (Low Energy Ion Scattering - LEIS) je analytická metoda s extrémní povrchovou citlivostí, která se používá k analýze povrchů pevných látek. Jediným prvkem, který nelze přímo pomocí rozptylu iontů inertních plynů detekovat je vodík. Hydroxylové skupiny (-OH) často terminují povrch pevných látek, především skleněných materiálů. Výroba displejů a obrazovek (flat panel displays - FPDs) pro mobilní zařízení a elektroniku představuje velice důležitou a perspektivní technologii. Terminace -OH skupinami výrazným způsobem ovlivňují navazující technologické kroky při výrobě FPDs i samotný výkon vyrobených FPDs, především rozlišení. Charakterizace pokrytí povrchů -OH skupinami klasickými metodami je limitována, nebo zcela vyloučena díky požadavku na vysokou povrchovou citlivost analýzy. Ve spolupráci s Brigham Young University (USA) a Corning corporation (USA) byla vyvinuta nová technika značení -OH skupin a jejich následné kvantifikace (a tag-and-count approach). Její první úspěšné výsledky byly publikovány v časopise Applied Surface Science (více informací naleznete v článku). Skupiny -OH jsou selektivně označeny atomy Zn během ALD deposice (Atomic Layer Deposition) a následně je jejich povrchová koncentrace určena pomocí HS-LEIS analýzy. Předkládané téma PhD studia nabízí zapojení studenta ve všech fázích tag-and-count procesu (příprava povrchů v BYU a analýza pomocí Qtac100 LEIS spektrometru v laboratořích Ceitec VUT a rozvíjí započatou spolupráci našich institucí.

   Školitel: Průša Stanislav, doc. Ing., Ph.D.